Tesis Validadas: 2,591

Tesis de Posgrado: 3,262

Visitas: 777

Please use this identifier to cite or link to this item: https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5919
Title: Criterios para la Implementación de Convertidores Electrónicos de Potencia en Aplicaciones de Media Tensión
Authors: Flores Chavez, Zabdi Gladys%741303
Issue Date: 2018-01-19
Publisher: Tecnológico Nacional de México
metadata.dc.publisher.tecnm: Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico
Description: Las aplicaciones de media tensión como sistemas de tracción, redes eléctricas inteligentes y energías renovables, entre otras, utilizan convertidores electrónicos de potencia que operan con rangos de media tensión (1 – 15 kV) para interconectarse con la red eléctrica, y baja tensión (<1kV) para suministrar energía eléctrica a sus elementos. Además, estos convertidores manejan alta potencia (MW), operan con frecuencias de 1 – 50 kHz, y sus diseños deben ser compactos y ligeros. En los últimos años el desarrollo de nuevas topologías para convertidores electrónicos de media tensión se ha reducido en gran medida, no obstante con las topologías ampliamente conocidas es posible conseguir los niveles de potencia requeridos. Los principales problemas en su diseño y fabricación son la cantidad de elementos que requieren, la complejidad de implementación, el volumen y peso, la baja eficiencia y el alto costo, además de la poca disponibilidad de elementos que bloqueen los niveles de media tensión. Por lo anterior, es indispensable mejorar todos esos aspectos de los convertidores de media tensión y una opción es mediante el uso de nuevas alternativas en su fabricación y diseño. Sin embargo identificar esas alternativas no resulta fácil debido a que en su mayoría son desarrolladas por el sector industrial y por lo tanto son confidenciales. Por ello en este trabajo se revisan de manera teórica diferentes alternativas que mejoren características de eficiencia, diseño y costo en los convertidores electrónicos de media tensión. Los temas que se abordan son tecnologías para MOSFET e IGBT, y sus circuitos impulsores de compuerta, alternativas de diseño y fabricación de los elementos pasivos, y estrategias de manejo térmico.
metadata.dc.type: info:eu-repo/semantics/masterThesis
Appears in Collections:Tesis de Maestría en Ingeniería Electrónica

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ME_Zabdi_Gladys_Flores_Chávez_2018.pdfTesis4.18 MBAdobe PDFView/Open
ME_Zabdi_Gladys_Flores_Chávez_2018_c.pdf
  Restricted Access
Cesión de Derechos137.92 kBAdobe PDFView/Open Request a copy


This item is protected by original copyright



This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons