Tesis Validadas: 2,591

Tesis de Posgrado: 3,262

Visitas: 580

Por favor, use este identificador para citar o enlazar este ítem: https://rinacional.tecnm.mx/jspui/handle/TecNM/5831
Título : Estudio de modelos de aceleración en pruebas de vida acelerada para los dispositivos IGBT
Autor : Vallarin Olascoaga, Antonio de Jesus%702452
Fecha de publicación : 2018-03-22
Editorial : Tecnológico Nacional de México
metadata.dc.publisher.tecnm: Centro Nacional de Investigación y Desarrollo Tecnológico
Descripción : El presente trabajo muestra el estudio de los modelos de aceleración en las pruebas de vida acelerada, específicamente del modelo de la ley de potencia inversa de Weibull. Este modelo se utilizó para las pruebas de vida acelerada con esfuerzo en corriente aplicadas a los dispositivos IGBT. El objetivo principal de las pruebas de vida acelerada es obtener datos de falla más rápidamente sometiendo a los dispositivos a ambientes de aceleración superiores a los que nominalmente trabaja. Para extrapolar los datos de falla de los dispositivos en condiciones aceleradas, o de estrés, a condiciones nominales de operación se hace uso de los modelos de aceleración, los cuales cuentan con una función de distribución de probabilidad y con ello se puede obtener el factor de aceleración de las pruebas. En el presente trabajo se realizaron pruebas de vida acelerada a dispositivos IGBT con esfuerzo en corriente. Se realizó la construcción de dos circuitos, el primero fue un circuito “chopper” y el segundo es un circuito con carga resistiva. Se realizaron las pruebas en los dos circuitos obteniendo los tiempos de falla de cada uno de los dispositivos. Se analizaron los datos de falla de las pruebas en el circuito con carga resistiva, obteniendo así, los parámetros de la distribución de Weibull y las constantes del modelo de ley de potencia inversa. Debido a lo anterior, se pudo obtener el factor de aceleración entre las pruebas de vida acelerada y las pruebas en condiciones nominales, y de esta manera poder conocer el tiempo en el que el dispositivo puede fallar en condiciones nominales.
metadata.dc.type: info:eu-repo/semantics/masterThesis
Aparece en las colecciones: Tesis de Maestría en Ingeniería Electrónica

Ficheros en este ítem:
Fichero Descripción Tamaño Formato  
ME_Antonio_de_Jesus_Vallarin_Olascoaga_2018.pdfTesis3.1 MBAdobe PDFVisualizar/Abrir
ME_Antonio_de_Jesus_Vallarin_Olascoaga_2018_C.pdf
  Restricted Access
Cesión de derechos135.79 kBAdobe PDFVisualizar/Abrir  Request a copy


Este ítem está protegido por copyright original



Este ítem está sujeto a una licencia Creative Commons Licencia Creative Commons Creative Commons